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平面栅碳化硅MOSFET在第三象限的浪涌特性
Surge Characteristics of Planar-Gate Silicon Carbide MOSFET in the Third Quadrant
| 作者 | Binqi Liang · Xiang Cui · Feilin Zheng · Xuebao Li · Hongji Li · Zhongyuan Chen · Rui Jin · Xinling Tang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 第三象限 浪涌特性 平面栅极 导通模式 电力电子 可靠性 |
语言:
中文摘要
本文研究了平面栅SiC MOSFET在第三象限运行时的多种导通模式。随着电流注入水平的增加（如浪涌事件或极端工况），其导通特性受栅极电压和温度的显著影响。研究旨在全面揭示SiC MOSFET在第三象限的浪涌行为，为功率器件的可靠性设计提供理论依据。
English Abstract
The planar-gate SiC mosfet exhibits multiple conduction modes when operating in the third quadrant. As the current injection level increases, such as during surge events or other extreme conditions, the conduction characteristics are influenced by both the gate voltage and temperature. To gain a comprehensive understanding of the surge behavior of SiC planar mosfet in the third quadrant, it is nec...
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SunView 深度解读
该研究对阳光电源的核心产品线（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）至关重要。随着公司产品向高功率密度和高效率演进，SiC器件已成为主流选择。在逆变器和PCS的死区时间或反向导通工况下，器件处于第三象限运行，极易受到电网侧浪涌或瞬态冲击。理解其浪涌特性有助于优化驱动电路设计、改进热管理策略，并提升功率模块在极端工况下的鲁棒性，从而降低现场故障率，提升iSolarCloud运维平台的系统可靠性评估精度。