← 返回
利用有源门极驱动器在体二极管关断期间实现串联SiC MOSFET的有源电压平衡
Active Voltage Balancing of Series-Connected SiC MOSFETs During Body-Diode Turn-Off Using an Active Gate Driver
| 作者 | Ajay Rai · P. Ganesan · Kamalesh Hatua · Subhashish Bhattacharya |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 拓扑与电路 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 串联连接 有源门极驱动器 电压均衡 体二极管 功率变换器 开关瞬态 |
语言:
中文摘要
串联SiC MOSFET是提升中压功率变换器效率与功率密度的有效途径。然而，在MOSFET及其体二极管关断过程中，电压不平衡问题极具挑战。本文提出一种有源门极驱动策略，旨在解决串联器件在关断瞬态下的电压应力分配问题，提升高压功率变换系统的可靠性。
English Abstract
The series connection of fast-switching SiC mosfets presents a promising approach to enhance the efficiency, compactness, and simplicity of medium voltage (MV) power converters. However, managing voltage imbalances during the turn-offof mosfets and their body diodes introduces significant challenges. While existing literature covers passive and active voltage balancing strategies for switch turn-o...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的中压光伏逆变器及大功率储能系统（如PowerTitan系列）具有重要参考价值。随着光伏系统向更高直流电压等级（如1500V及以上）演进，SiC器件的应用日益广泛。通过串联技术提升耐压能力，可简化拓扑结构并降低损耗。建议研发团队关注该有源门极驱动方案在组串式逆变器及PCS功率模块中的应用，以优化高压工况下的动态均压控制，提升系统可靠性，并降低对高压单管器件的过度依赖，从而优化成本结构。