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并联10 kV SiC MOSFET栅极振荡分析与抑制方法
Analysis and Mitigation Methods of Gate Oscillation in Paralleled 10 kV SiC MOSFETs
| 作者 | Gao Liu · Zhixing Yan · Morten Rahr Nielsen · Thore Stig Aunsborg · Bjørn Rannestad · Hongbo Zhao · Michael Møller Bech · Stig Munk-Nielsen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 门极振荡 并联 开关暂态 饱和区 电力电子 器件可靠性 |
语言:
中文摘要
本文研究了并联10 kV SiC MOSFET中的栅极振荡问题，这是限制其并联应用的关键瓶颈。研究发现，在开关瞬态过程中，并联SiC MOSFET工作在饱和区，形成了闭环反馈系统，导致了栅极振荡，进而引发误触发及器件损坏风险。
English Abstract
Gate oscillations exist in paralleled SiC MOSFETs, which can cause false switching behavior and device damage. This article investigates gate oscillations in paralleled 10 kV SiC mosfets as it is currently one of the bottlenecks for paralleling. During the switching transient, the paralleled SiC mosfets operate in their saturation region, where a closed-loop feedback system is formed between the m...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在大型地面电站及储能系统（如PowerTitan系列）中对高压、高功率密度需求的提升，10 kV SiC器件的应用潜力巨大。该研究揭示的并联栅极振荡机制对于优化大功率PCS模块的驱动电路设计至关重要。建议研发团队在开发高压SiC功率模块时，重点关注饱和区反馈回路的阻尼设计，以提升多管并联方案的可靠性，避免因栅极振荡导致的误导通，从而提高逆变器与储能变流器的长期运行稳定性。