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一种用于SiC MOSFET的带无源触发钳位电路的新型电平转换驱动器
A Novel Level Shifter Driver for SiC MOSFET With Passive Triggered Clamping Circuit
| 作者 | Xiang Zheng · Lijun Hang · Sai Tang · Yandong Chen · Yuanbin He · Guowen Li · Anping Tong |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年7月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 栅极驱动器 电平转换器 dv/dt 串扰 无源钳位 开关速度 电力电子 |
语言:
中文摘要
相比传统硅器件，SiC器件具有更快的开关速度，在汽车行业应用广泛。然而，高开关速度带来的高dv/dt会导致严重的串扰问题。本文提出了一种具有可调负电压的新型栅极驱动器，通过无源触发钳位电路有效抑制串扰，提升了SiC MOSFET在高频开关下的可靠性。
English Abstract
Compared to the traditional Si devices, SiC devices can operate with much faster switching speed. Therefore, SiC is more popular in the automotive industry as a replacement for Si devices. However, much higher dv/dt will be inevitably induced due to the increased switching speed, which leads to more serious crosstalk issues. In this article, a novel gate driver with a tunable negative voltage and ...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。在电动汽车充电桩及高功率密度光伏/储能逆变器（如PowerTitan系列）中，SiC MOSFET的应用是提升效率和减小体积的关键。高dv/dt引起的串扰是制约SiC高频化应用的主要瓶颈，该驱动方案通过无源钳位有效抑制串扰，能够显著提升系统开关频率，从而进一步优化逆变器功率密度。建议研发团队评估该驱动电路在车载充电模块及高压储能PCS中的集成可行性，以提升产品在极端工况下的抗干扰能力与可靠性。