← 返回
SiC功率模块布局对高频传导共模电流的影响及优化约束
The Influence and Optimization Constraints of SiC Power Module Layout on High-Frequency Conducted CM Current During Switching Transients
| 作者 | Qingshou Yang · Laili Wang · Zaojun Ma · Xiaohui Lu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 功率模块 寄生电感 开关瞬态 电磁干扰 共模电流 布局优化 |
语言:
中文摘要
SiC MOSFET因优异的电热特性应用日益广泛，但其高di/dt和dv/dt特性对功率模块寄生参数更为敏感。本文研究了功率模块布局中的寄生电感如何影响电磁干扰（EMI）的传播路径，并探讨了针对高频传导共模电流的优化约束方法，以提升功率变换系统的电磁兼容性。
English Abstract
The penetration rate of SiC mosfets is gradually increasing due to their excellent electrical and thermal characteristics. However, the wide-bandgap devices exhibit faster di/dt, dv/dt and are more sensitive to parasitic inductances of power module during switching transients. Meanwhile, the influence of parasitic inductances on the propagation path of electromagnetic interference cannot be ignore...
S
SunView 深度解读
该研究直接服务于阳光电源的高功率密度产品研发。随着组串式逆变器和PowerTitan储能系统向更高开关频率演进，SiC器件的应用已成主流。模块内部寄生电感的优化不仅能降低开关损耗，更是解决高频EMI问题的关键，有助于提升iSolarCloud运维平台的电能质量监测精度。建议研发团队在下一代SiC功率模块封装设计中，引入该文提出的布局约束模型，以降低系统级滤波器的体积与成本，进一步提升产品在复杂电网环境下的电磁兼容性能。