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一种用于相腿配置中具有快速开关瞬态的SiC MOSFET的改进型串扰抑制驱动拓扑
An Improved Crosstalk Suppression Driver Topology for SiC MOSFET With Fast Switching Transient in the Phase-Leg Configuration
| 作者 | Jiaxing Ye · Mingyi Wang · Sihang Cui · Chengming Zhang · Liyi Li |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 组串式逆变器 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 串扰抑制 栅极驱动器 桥臂 开关瞬态 直通 宽禁带半导体 |
语言:
中文摘要
随着SiC MOSFET在高功率转换器中的广泛应用，其高速开关特性带来的栅源极串扰电压问题日益突出，易导致误导通及桥臂直通故障。本文提出了一种改进的驱动拓扑，旨在有效抑制串扰电压，提升高频开关下功率转换系统的可靠性与稳定性。
English Abstract
Power converters composed of SiC mosfets with fast switching transients are widely used in high-performance, high-power applications. Wide bandgap semiconductor devices with high switching frequencies in the driver circuits are highly susceptible to the gate–source crosstalk voltages during fast switching transients, which can lead to mis-conductance and shoot through phenomena in complementary br...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着组串式逆变器和PowerTitan系列储能PCS向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC MOSFET的应用已成为主流。该驱动拓扑能有效解决高频开关下的串扰问题，直接提升逆变器和PCS的功率密度与转换效率，同时降低因误导通导致的故障风险，显著增强产品的可靠性。建议研发团队在下一代高频SiC功率模块设计中引入该驱动方案，以优化系统EMI性能并简化保护电路设计。