找到 13 条结果
开关耦合电感准Z源逆变器
Switched-Coupled-Inductor Quasi-Z-Source Inverter
Hafiz Furqan Ahmed · Honnyong Cha · Su-Han Kim · Heung-Geun Kim · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年2月
Z源逆变器因其单级升降压能力和良好的EMI抗扰性成为研究热点，但其升压增益受限于直通时间与调制指数的权衡，导致电压应力高及输出质量差。本文提出一种新型高升压开关耦合电感准Z源逆变器，旨在解决上述缺陷，提升系统整体转换效率与功率密度。
解读: 该拓扑通过耦合电感优化了准Z源逆变器的升压能力，有效降低了开关器件的电压应力，这对于阳光电源的组串式光伏逆变器（如SG系列）具有重要的参考价值。在应对高压光伏组件接入或宽电压范围输入场景时，该技术有助于减少对多级变换的需求，从而提升整机效率并降低散热成本。建议研发团队评估该拓扑在提升功率密度方面的潜...
一种减少电感数量的移相级联双Buck AC-AC变换器
Phase-Shifted Cascaded Dual-Buck AC–AC Converter With Less Number of Inductors
Usman Ali Khan · Jung-Wook Park · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年6月
本文提出了一种改进的级联双Buck AC-AC变换器，通过减少电感数量，有效提升了功率密度并降低了成本。该拓扑利用低压等级器件实现了更高的输出电压，且具备无直通风险、无需死区时间的优势，提升了系统可靠性与转换效率。
解读: 该拓扑通过减少磁性元件数量提升功率密度，对阳光电源的组串式逆变器（如SG系列）及户用逆变器产品线具有重要的参考价值。在追求高功率密度和轻量化的趋势下，该方案无需死区时间的特性可进一步优化开关损耗，提升整机效率。建议研发团队评估其在多电平逆变架构中的应用潜力，特别是在降低BOM成本和缩小体积方面，可作...
降低Z源逆变器电感电流纹波的新型空间矢量调制策略
New Space Vector Modulation Strategies to Reduce Inductor Current Ripple of Z-Source Inverter
Yuyao He · Yuhao Xu · Jinping Chen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年3月
本文研究了针对三相Z源逆变器的三种传统空间矢量调制（SVM）策略（ZSVM1, ZSVM2, ZSVM6）。这些策略通过将直通时间划分为不同份数来实现，虽然易于编程实现，但其电感电流纹波未得到优化，导致纹波较大。文章旨在提出改进的调制策略以降低电流纹波。
解读: Z源逆变器通过独特的阻抗网络实现升降压功能，在光伏逆变器领域具有特定应用场景。虽然阳光电源目前主流产品（如组串式逆变器）多采用常规Boost+逆变拓扑，但该研究提出的优化空间矢量调制（SVM）策略对于提升逆变器效率、降低电感磁性元件损耗及减小体积具有参考价值。建议研发团队关注该调制算法在降低纹波电流...
一种具有高电压增益的新型半桥阻抗源逆变器
A New Half-Bridge Impedance Source Inverter With High Voltage Gain
Xiaoquan Zhu · Bo Zhang · Dongyuan Qiu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年4月
本文提出了一种具有高电压转换比的新型半桥阻抗源逆变器（HBISI）。与现有的HB-qZSIs/HB-qSBIs相比，该拓扑能显著提高电压升压因子，仅需极小的直通占空比即可实现高电压增益，有效降低了开关器件的电压应力。
解读: 该拓扑通过优化阻抗网络实现了高电压增益，对阳光电源的组串式逆变器（String Inverter）产品线具有重要参考价值。在光伏组件电压范围较宽或需要更高直流母线电压的应用场景中，该技术能有效降低开关器件的电压等级要求，从而降低BOM成本并提升系统效率。建议研发团队评估其在下一代高功率密度组串式逆变...
一种新型单相三电平Dual-Buck逆变器
A Novel Single-Phase Three-Level Dual-Buck Inverter
Tien-The Nguyen · Honnyong Cha · Bang Le-Huy Nguyen · Heung-Geun Kim · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年4月
本文提出了一种新型单相三电平Dual-Buck逆变器。该拓扑由简化中点钳位（NPC）逆变器演变而来，减少了有源开关数量。与传统逆变器相比，该拓扑具有无直通风险、功率MOSFET体二极管无反向恢复问题等显著优势。
解读: 该拓扑在单相逆变领域具有极高应用价值，特别适用于阳光电源的户用光伏逆变器及小型工商业组串式逆变器产品线。Dual-Buck结构天然规避了桥臂直通风险，显著提升了系统可靠性，且消除了MOSFET体二极管反向恢复损耗，有助于进一步提升逆变器效率并优化散热设计。建议研发团队评估该拓扑在下一代高功率密度户用...
一种用于消除桥臂配置中寄生导通的新型RCD电平转换器
A Novel RCD Level Shifter for Elimination of Spurious Turn-on in the Bridge-Leg Configuration
Jianjing Wang · Henry Shu-Hung Chung · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年2月
随着桥臂配置中开关速度和功率等级的提升，同步开关中的寄生触发脉冲易超过阈值电压，导致寄生导通。消除该现象对于防止开关损耗过大、自激振荡及桥臂直通至关重要。本文提出了一种新型RCD电平转换器，旨在有效抑制桥臂配置中的寄生导通问题。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（如组串式光伏逆变器和PowerTitan储能系统）具有重要意义。随着SiC和GaN等宽禁带半导体在高性能逆变器中的广泛应用，开关频率不断提高，桥臂寄生导通带来的直通风险和损耗问题日益突出。该新型RCD电平转换器方案可优化驱动电路设计，提升高频功率模块的可靠性与效率。建议...
无直通问题多电平逆变器的拓扑构建、建模与控制
Topology Construction, Modeling, and Control of Multilevel Inverters Without Shoot-Through Problem
Xinxin Zheng · Jingwen Hu · Xintian Liu · Yao He 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年5月
直通故障是桥式逆变器的固有缺陷，在多电平逆变器中，死区时间的设置与补偿对控制策略提出了更高要求。本文提出了一种三相逆变器拓扑构建规则，可将现有的两电平或多电平桥式逆变器转换为无直通风险的新型拓扑，有效提升了系统的可靠性。
解读: 该研究直接针对光伏逆变器（组串式及集中式）的核心痛点——桥臂直通风险。通过消除直通隐患，可以简化死区时间控制逻辑，降低对功率器件驱动保护电路的极端要求，从而提升逆变器在极端工况下的可靠性。对于阳光电源的下一代高功率密度组串式逆变器及大型集中式逆变器，该拓扑构建方法有助于在不牺牲效率的前提下，进一步优...
基于非对称阻抗网络的准Z源光伏逆变器
AIN-qZSI）异常运行状态分析与控制
Thierry Kayiranga · Hongbo Li · Xinchun Lin · Yanjun Shi 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年11月
本文研究了准Z源逆变器（qZSI）在非对称阻抗网络下的应用。相比传统对称结构，该拓扑利用宽禁带器件在高频开关下工作，旨在减小电感和电容体积。文章重点分析了该拓扑在异常运行状态下的特性，并提出了相应的控制策略，以提升光伏逆变系统的功率密度与可靠性。
解读: 该研究提出的非对称阻抗网络准Z源拓扑，通过优化无源元件体积，对阳光电源的组串式逆变器（如SG系列）实现更高功率密度具有参考价值。特别是在高频化趋势下，结合宽禁带器件（SiC/GaN）的应用，该拓扑能有效提升逆变器在宽电压范围下的升压能力。建议研发团队关注其在异常工况下的鲁棒性控制，评估该拓扑在户用及...
BTI引起的阈值电压漂移对SiC MOSFET串扰直通电流的影响
Impact of BTI-Induced Threshold Voltage Shifts in Shoot-Through Currents From Crosstalk in SiC MOSFETs
Jose Orti Gonzalez · Olayiwola Alatise · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年3月
本文提出了一种评估SiC MOSFET在栅极电压应力下阈值电压（VTH）漂移影响的方法。通过利用同一桥臂内两个器件间的米勒耦合效应，该技术利用寄生导通产生的直通电荷来表征偏置温度不稳定性（BTI）引起的VTH漂移及其对电路可靠性的影响。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率，器件的长期可靠性至关重要。本文提出的BTI效应评估方法，能够帮助研发团队在产品设计阶段更精准地预测SiC器件在高温高压环境下的阈值漂移风险，从而优化驱动电路设计，抑制寄生导通引起...
一种用于相腿配置中具有快速开关瞬态的SiC MOSFET的改进型串扰抑制驱动拓扑
An Improved Crosstalk Suppression Driver Topology for SiC MOSFET With Fast Switching Transient in the Phase-Leg Configuration
Jiaxing Ye · Mingyi Wang · Sihang Cui · Chengming Zhang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年6月
随着SiC MOSFET在高功率转换器中的广泛应用，其高速开关特性带来的栅源极串扰电压问题日益突出，易导致误导通及桥臂直通故障。本文提出了一种改进的驱动拓扑，旨在有效抑制串扰电压，提升高频开关下功率转换系统的可靠性与稳定性。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着组串式逆变器和PowerTitan系列储能PCS向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC MOSFET的应用已成为主流。该驱动拓扑能有效解决高频开关下的串扰问题，直接提升逆变器和PCS的功率密度与转换效率，同时降低因误导通导致的故障风险，显著增强产品的可...
一种高可靠性高效率准单级Buck-Boost逆变器
A Highly Reliable and High-Efficiency Quasi Single-Stage Buck–Boost Inverter
Ashraf Ali Khan · Honnyong Cha · Hafiz Furqan Ahmed · Juyong Kim 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年6月
针对宽输入电压范围下的光伏逆变系统，本文提出一种新型高效率准单级单相Buck-Boost逆变器。该拓扑通过消除PWM死区时间并解决直通问题，显著提升了系统可靠性，并支持双向功率流动。
解读: 该拓扑结构在处理宽电压输入范围时表现出的高效率和高可靠性，对阳光电源的户用光伏逆变器及小型工商业组串式逆变器产品线具有重要参考价值。通过消除死区时间，该方案能有效降低谐波失真，提升逆变效率。建议研发团队评估该拓扑在提升功率密度方面的潜力，特别是在追求极致紧凑设计的户用机型中，可作为下一代高可靠性逆变...
单相分体电感差分升降压逆变器
Single-Phase Split-Inductor Differential Boost Inverters
Ashraf Ali Khan · Yun Wi Lu · Wilson Eberle · Liwei Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年1月
本文提出了两种单相单级分体电感升降压逆变器（Type-I和Type-II）。Type-I适用于单位功率因数，Type-II适用于任意功率因数。两种拓扑均消除了直通问题，并消除了所有开关管的反向恢复损耗，从而使MOSFET能够实现更高的效率。
解读: 该研究提出的单级升降压拓扑在消除直通风险和反向恢复损耗方面具有显著优势，非常契合阳光电源户用光伏逆变器及微型逆变器产品线对高效率、高功率密度的追求。通过采用该拓扑，可进一步优化MOSFET的开关性能，提升整机转换效率。建议研发团队评估其在小功率单相逆变器中的应用潜力，特别是在追求紧凑型设计和高可靠性...
半桥应用中级联GaN器件误导通的定量模型评估与抑制
Quantitative Model-Based False Turn-on Evaluation and Suppression for Cascode GaN Devices in Half-Bridge Applications
Tianhua Zhu · Fang Zhuo · Fangzhou Zhao · Feng Wang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年10月
由于高开关频率和快速切换速度，氮化镓（GaN）器件易发生误导通现象，导致开关损耗增加、直通甚至持续振荡。目前针对增强型GaN的研究较多，但针对级联（Cascode）结构GaN器件的误导通研究尚显不足。本文提出了基于定量模型的评估方法及抑制策略。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对功率密度要求的不断提升，GaN器件的应用成为关键趋势。级联GaN器件在提高开关频率、降低损耗方面具有显著优势。本文提出的误导通定量评估模型，可直接指导阳光电源研发团队在设计高频功率模块时，优化驱动电路布局与参数匹配，有效规避高频下的直通风险。建议将此评...