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一种用于多千瓦级和数十兆赫兹开关功率放大器的基于有源钳位源的SiC谐振栅极驱动技术
A High Frequency Active Clamping Source Based SiC Resonant Gate Driving Technology for Multi-kW and Tens of MHz Switched Mode Power Amplifier
| 作者 | Wei Liu · Yongzhi Zhu · Ming Liu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 拓扑与电路 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 谐振栅极驱动器 SiC 高频 有源钳位 栅极驱动损耗 开关模式功率放大器 电力电子 |
语言:
中文摘要
谐振栅极驱动(RGD)是降低高频驱动损耗和抑制噪声的有效方法。传统RGD多采用双开关桥式结构,在数十兆赫兹频率下死区控制困难。本文提出一种基于有源钳位源的单开关RGD技术,解决了传统方案在实现固定占空比驱动电压时的局限性,适用于高频SiC功率器件驱动。
English Abstract
Resonant gate driver (RGD) is an effective method to achieve gate driving loss reduction and noise suppression at high frequency. Most RGDs require at least two switches to constitute the bridge structure, which suffers from the difficulty of accurate dead time control at tens of MHz. The single-switch RGDs are easy to implement but can only generate fixed duty cycle driving voltage and operate at...
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SunView 深度解读
该技术对于阳光电源提升光伏逆变器和储能PCS的功率密度具有重要参考价值。随着行业向更高开关频率发展,SiC器件的应用已成为提升效率的关键。该研究提出的高频谐振驱动技术能有效降低SiC器件在高频开关下的驱动损耗,并抑制电磁干扰。建议研发团队关注该驱动架构在下一代高频组串式逆变器及小型化储能模块中的应用潜力,特别是在提升系统整体效率和减小磁性元件体积方面,有助于进一步巩固阳光电源在功率变换技术领域的领先地位。