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多芯片SiC MOSFET功率模块键合线脱落不均匀性的在线监测方法
An Online Monitoring Method of Bond Wire Lift-off Unevenness in Multichip SiC MOSFET Power Modules
| 作者 | Ziyang Zhang · Lin Liang · Haoyang Fei |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 故障诊断 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 功率模块 键合线脱落 在线监测 可靠性 多芯片 健康管理 |
语言:
中文摘要
监测键合线脱落的不均匀性是多芯片SiC MOSFET功率模块高可靠运行的基础。传统方法仅能监测模块整体的键合线脱落数量。本文提出了一种监测多芯片模块中键合线脱落分布的新方法,实现了对功率模块健康状态的精细化评估。
English Abstract
Monitoring bond wire lift-off unevenness is the basis for high-reliability operation of multichip silicon carbide (SiC) metal oxide semiconductor field effect transistor (mosfet) power modules. The traditional methods of monitoring bond wire lift-off can only monitor the overall number of the bond wire lift-off for one module. In this article, a new method is proposed to monitor the number of the ...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心业务至关重要。随着公司在组串式逆变器和PowerTitan系列储能系统中大规模应用SiC MOSFET功率模块,提升模块的可靠性与寿命预测能力是关键竞争力。该在线监测方法可集成至iSolarCloud平台,通过实时感知功率模块的键合线老化状态,实现从‘事后维修’向‘预防性维护’的转变,显著降低运维成本。建议研发团队将其纳入下一代高功率密度逆变器及储能变流器(PCS)的健康管理系统(PHM),以提升产品在严苛环境下的长期运行可靠性。