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功率器件技术 GaN器件 功率模块 宽禁带半导体 热仿真 ★ 4.0

一种具有超低寄生电感的DPC氮化镓功率模块柔性PCB设计

A Flexible-PCB on DPC GaN Power Module With Ultralow Parasitic Inductance

作者 Hang Kong · Lixin Jia · Laili Wang · Yilong Yao · Fengtao Yang · Hongchang Cui
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2025年4月
技术分类 功率器件技术
技术标签 GaN器件 功率模块 宽禁带半导体 热仿真
相关度评分 ★★★★ 4.0 / 5.0
关键词 氮化镓 GaN功率器件 功率模块 寄生电感 柔性PCB DPC基板 高频 功率密度
语言:

中文摘要

氮化镓(GaN)器件凭借高开关速度和低导通电阻,推动了电力电子变换器向高频高功率密度发展。然而,封装寄生参数限制了其开关性能。本文提出了一种基于直接覆铜陶瓷(DPC)基板和柔性PCB的GaN功率模块封装方案,通过优化电路布局有效降低了寄生电感,从而充分发挥GaN器件的高频优势。

English Abstract

The gallium nitride (GaN) power device, with its ultrahigh switching speed and low on-resistance, has greatly promoted the development of power electronic converters towards high frequency and high-power density. However, the packaging parasitic parameters will limit its switching speed. In order to maximize the excellent characteristics of GaN power device, this article first comprehensively anal...
S

SunView 深度解读

该技术对阳光电源的高功率密度产品线具有重要价值。随着光伏逆变器和储能PCS向高频化、小型化演进,GaN器件的应用已成为提升功率密度的关键。该封装方案通过降低寄生电感,有助于解决高频开关下的电压尖峰和EMI问题,特别适用于阳光电源的户用光伏逆变器及小型化储能变流器(如PowerStack系列)。建议研发团队关注该柔性PCB与DPC基板结合的封装工艺,以提升下一代高频电力电子模块的散热性能与开关效率,从而在保持高可靠性的前提下进一步缩小产品体积。