← 返回
SiC MOSFET的近似SPICE建模
Approximate SPICE Modeling of SiC MOSFETs
| 作者 | Pawel Piotr Kubulus · Janus Dybdahl Meinert · Szymon Beczkowski · Asger Bjørn Jørgensen · Stig Munk-Nielsen · Dimosthenis Peftitsis |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 拓扑与电路 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET SPICE 建模 宽禁带 (WBG) 半导体 电路仿真 振荡瞬态 行为建模 电力电子 |
语言:
中文摘要
宽禁带半导体（WBG）的应用对SPICE电路仿真提出了更高要求，需在保证计算效率的同时准确评估快速振荡瞬态。由于现有软件缺乏内置模型，本文提出了一种基于非线性行为建模的近似SPICE仿真方法，旨在解决WBG器件仿真中的计算瓶颈与精度平衡问题。
English Abstract
The recent adaptation of wide bandgap (WBG) semiconductors pushes the SPICE circuit simulation software to the very edge, requiring computationally light and accurate assessment of rapid and oscillatory transients. One of the main limitations in SPICE modeling of WBG semiconductors is the lack of built-in models in the available software, forcing usage of behavioral modeling with heavily nonlinear...
S
SunView 深度解读
该研究直接服务于阳光电源的核心功率电子技术。随着公司在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率，高精度的器件建模对于优化开关瞬态、抑制EMI及提升系统可靠性至关重要。建议研发团队利用该近似建模方法优化驱动电路设计，减少高频振荡带来的电压尖峰，从而提升产品在极端工况下的鲁棒性，并缩短新一代高功率密度产品的仿真验证周期。