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基于无源开通延迟时间积分器的中压SiC MOSFET高精度在线结温测量
High-Accuracy Online Junction Temperature Measurement of Medium-Voltage SiC MOSFETs Based on Passive Turn-On Delay Time Integrator
| 作者 | Jialong Dou · Zhiqiang Wang · Guoqing Xin · Xiaojie Shi |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 结温 在线测量 开通延迟时间 无源积分器 电力电子 热管理 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种基于无源开通延迟时间（td,on）积分器的中压SiC MOSFET非侵入式在线结温（Tj）测量方法。该方法无需大栅极电阻即可实现高精度结温监测，有效解决了传统测量方案在功率密度和电路设计上的局限性，为电力电子器件的实时热管理提供了新思路。
English Abstract
This letter introduces a novel nonintrusive high-accuracy online junction temperature (Tj) measurement method for medium-voltage SiC mosfets based on the passive turn-on delay time (td,on) integrator. Different from previous studies, the proposed passive td,on integrator-based method can achieve high-accuracy online Tj measurement without the need for large gate resistance. Furthermore, it tends t...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着公司在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC功率模块，实时、高精度的结温监测是提升系统功率密度和可靠性的关键。该无源积分方案无需额外复杂电路，易于集成至驱动板中，有助于实现更精准的过温保护策略，延长SiC器件在极端工况下的寿命。建议研发团队在下一代高功率密度PCS产品中评估该方案，以替代传统的基于热敏电阻或复杂软件估算的测温方式，从而优化热设计并提升产品竞争力。