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基于互补型GaN HEMT的高频脉冲激光驱动器
High-Frequency Pulsed Laser Driver Using Complementary GaN HEMTs
| 作者 | Ching-Yao Liu · Chun-Hsiung Lin · Hao-Chung Kuo · Li-Chuan Tang · Yu-Heng Hong · Chang-Ching Tu · Edward-Yi Chang · Wei-Hua Chieng |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★ 2.0 / 5.0 |
| 关键词 | 高频 激光驱动器 LiDAR GaN HEMTs 功率效率 脉冲持续时间 自动驾驶汽车 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种用于高频激光雷达（LiDAR）的高效激光驱动器，旨在满足20MHz重复频率、10ns脉宽及50W瞬时功率的严苛要求。针对自动驾驶领域对高功率效率的需求，该驱动器通过互补型GaN HEMT技术优化了开关性能，显著提升了系统整体能效。
English Abstract
This article attempts to disclose a high-efficiency laser driver that controls laser sources for high-frequency light detection and ranging (LiDAR) applications. The specific LiDAR requisites encompass a 20-MHz laser repetition rate, a 10-ns pulse duration, and an instantaneous power of 50 W. The power efficiency of a LiDAR used in autonomous vehicles is critical, which shall yield a total input p...
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SunView 深度解读
该文献探讨了GaN器件在高频脉冲应用中的性能优势。虽然阳光电源的核心业务集中在光伏逆变器和储能系统，但随着电力电子技术向高频化、高功率密度方向演进，GaN等宽禁带半导体在辅助电源、高频驱动电路及未来小型化储能控制模块中具有应用潜力。建议研发团队关注GaN器件在高频开关下的损耗特性与可靠性评估，这有助于优化阳光电源现有产品（如组串式逆变器或充电桩）中辅助电源模块的体积与效率，提升产品竞争力。