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半桥封装SiC功率MOSFET动态电容的一步提取法用于EMI分析
One-Step Method of Dynamic Capacitances Extraction From a SiC Power MOSFET in a Half-Bridge Package for EMI Analysis
| 作者 | Jaewon Rhee · Sanguk Lee · Changmin Lee · Seongho Woo · Hongseok Kim · Jiseong Kim · Seungyoung Ahn |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 动态电容 EMI 分析 半桥封装 开关行为 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种从半桥封装SiC MOSFET中提取动态电容的一步法，旨在优化电路设计与电磁兼容性（EMI）分析。动态电容特性对MOSFET的开关行为至关重要，该方法为高频功率变换器的EMI预测与抑制提供了精确的参数支持。
English Abstract
The electromagnetic interference (EMI) and dynamic capacitance characteristics of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (mosfets) are essential considerations in circuit design and electromagnetic compatibility. A mosfet is a semiconductor widely used in switching applications. The dynamic capacitance characteristics of a mosfet are closely related to the switching behavior of the cir...
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SunView 深度解读
该研究直接服务于阳光电源的核心功率变换技术。随着公司组串式逆变器（如SG系列）及储能系统（如PowerTitan）向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC器件的应用已成为主流。准确的动态电容提取方法能显著提升EMI滤波器设计的精确度，减少反复调试成本，并优化开关损耗。建议研发团队将此方法集成至iSolarCloud的仿真模型库中，或用于优化新一代碳化硅功率模块的驱动电路设计，以提升产品在严苛电磁环境下的可靠性与并网合规性。