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考虑共源电感的SiC MOSFET多电平自驱动栅极驱动器以抑制串扰
A Multilevel Self-Driving Gate Driver of SiC MOSFET for Crosstalk Suppression Considering Common-Source Inductance
| 作者 | Kaiyuan Hu · Ming Yang · Xinmei Zhang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 串扰抑制 栅极驱动器 共源电感 米勒电容 开关速度 功率器件可靠性 |
语言:
中文摘要
相比硅基器件，碳化硅(SiC) MOSFET具有优异特性。然而，高开关速度带来的高dv/dt使其更易受米勒电容和共源电感引起的串扰尖峰影响，增加了功率器件误触发的风险。现有方法多仅考虑米勒电容，本文提出一种考虑共源电感影响的多电平自驱动栅极驱动方案，有效抑制串扰。
English Abstract
Compared with conventional silicon-based devices, silicon carbide mosfet exhibits superior characteristics. However, the high dv/dt caused by high switching speed makes it more susceptible to crosstalk spikes caused by Miller capacitance and common-source inductance, increasing the risk of false-triggering of power device. The mathematical models of most existing methods only consider the Miller c...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线（如组串式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统）具有重要意义。随着公司产品向高功率密度和高效率演进，SiC MOSFET的应用日益广泛，但高频开关带来的串扰和误触发是影响系统可靠性的关键痛点。该多电平自驱动技术能有效提升SiC驱动电路的抗干扰能力，降低误触发风险，有助于提升逆变器及PCS在复杂工况下的运行稳定性。建议研发团队在下一代高频功率模块设计中引入该驱动策略，以优化开关损耗与电磁兼容性（EMC）之间的平衡。