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半桥电路中SiC MOSFET的温度相关瞬态分析模型
A Temperature-Dependent Analytical Transient Model of SiC MOSFET in Half-Bridge Circuits
| 作者 | Peng Xue · Pooya Davari |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 瞬态模型 开关瞬态 温度相关性 半桥电路 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种SiC MOSFET的温度相关瞬态模型。通过将开关过程划分为四个阶段，详细分析了MOSFET及其体二极管在各阶段的工作特性，并建立了相应的等效电路。研究重点探讨了栅漏电容（Cgd）等参数随温度变化的非线性影响，为功率器件的高精度瞬态仿真提供了理论基础。
English Abstract
In this article, a temperature-dependent transient model of silicon carbide (SiC) metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (mosfet) is proposed. The switching transient of the SiC mosfet is divided into four phases. In each phase, the operations of the mosfet and its body diode are analyzed and the corresponding equivalent circuits are obtained. The analysis identifies that the $C_{gd}\ti...
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SunView 深度解读
该研究对阳光电源的核心业务至关重要。随着公司在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及高压充电桩中大规模应用SiC器件，精确的温度相关瞬态模型能显著提升产品研发阶段的仿真精度，优化驱动电路设计，从而降低开关损耗并提升系统效率。此外，该模型有助于更准确地评估SiC模块在极端工况下的热应力，对提升光伏逆变器和PCS产品的长期可靠性、优化散热设计及热管理策略具有重要的工程指导意义。