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基于硬件闭环控制的开尔文源极连接SiC MOSFET串扰抑制有源门极驱动器
The Active Gate Driver Based on Hardware Closed-Loop Control for Crosstalk Suppression of SiC MOSFETs With Kelvin-Source Connection
| 作者 | Mingkai Cui · Lei Chen · Yulong Pei · Feng Chai |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 开尔文源极连接 串扰抑制 有源栅极驱动器 硬件闭环控制 电力变换器 可靠性 |
语言:
中文摘要
本文针对桥式电路中SiC MOSFET开尔文源极连接带来的串扰问题，提出了一种基于硬件闭环控制的有源门极驱动器（AGD）。通过设计简单的硬件闭环控制器，有效调节驱动信号，从而抑制电压串扰，提升功率变换器的可靠性与应用潜力。
English Abstract
Silicon carbide (SiC) mosfets with Kelvin-source connection are widely used in power converters based on a bridge configuration circuit, but crosstalk significantly impacts reliability and limits their application potential. For this problem, this article presents an active gate driver (AGD) based on hardware closed-loop control. A simple hardware closed-loop controller is designed to regulate the...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着公司组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向高功率密度、高开关频率演进，SiC MOSFET的应用已成为主流。开尔文源极连接虽能提升开关性能，但带来的串扰问题是制约系统可靠性的关键瓶颈。该有源门极驱动（AGD）方案通过硬件闭环控制抑制串扰，可直接优化阳光电源高压储能PCS及大功率组串式逆变器的驱动电路设计，显著提升功率模块的抗干扰能力与运行稳定性，降低故障率，是实现下一代高效、高可靠性电力电子转换器的关键技术路径。