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关于最先进1200V双沟槽SiC MOSFET短路失效机理的深入研究
An In-Depth Investigation Into Short-Circuit Failure Mechanisms of State-of-the-Art 1200 V Double Trench SiC MOSFETs
| 作者 | Xuan Li · Yifan Wu · Zhao Qi · Zhen Fu · Yanning Chen · Wenmin Zhang · Quan Zhang · Hanqing Zhao · Xiaochuan Deng · Bo Zhang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年12月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 1200 V SiC MOSFET 双沟槽结构 短路能力 失效机理 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文全面研究了1200V增强型双沟槽结构SiC MOSFET（RDT-MOS）的短路能力，分析了在不同直流母线电压和栅极驱动电压下的最大短路时间和能量，并深入探讨了其失效机理。
English Abstract
In this article, the short-circuit capability of 1200 V state-of-the-art silicon carbide (SiC) metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (mosfet) featuring reinforced double trench structure (named RDT-MOS) is investigated comprehensively, involving the maximum short-circuit time and energy under various dc bus voltages and gate driving voltages. Furthermore, the corresponding failure mech...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在光伏逆变器（如SG系列组串式逆变器）和储能系统（如PowerTitan系列）中大规模应用SiC功率器件以提升功率密度和转换效率，该研究对提升产品可靠性至关重要。双沟槽SiC MOSFET的短路耐受能力直接影响逆变器在电网故障或负载短路时的保护策略。建议研发团队参考该失效机理，优化驱动电路的退饱和保护逻辑，并针对RDT-MOS的特性调整功率模块的封装热设计，以确保在极端工况下系统的鲁棒性。