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平面栅与沟槽栅SiC功率MOSFET在重复短路应力下退化位置的表征方法
Methodology for Characterizing Degradation Locations of Planar and Trench Gate SiC Power Mosfets Under Repetitive Short-Circuit Stress
| 作者 | Yi Yang · Mingchao Yang · Zhaoyuan Gu · Songquan Yang · Chuanyu Han · Weihua Liu · Li Geng · Yue Hao |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年11月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 短路应力 可靠性 平面栅 沟槽栅 深能级瞬态谱 分割 C-V 法 |
语言:
中文摘要
本文针对SiC MOSFET在重复短路应力下的可靠性问题，提出了一种结合深能级瞬态谱（DLTS）与分裂C-V测试的方法，用于分离器件的陷阱特性。研究深入对比了平面栅（PG）与沟槽栅（TG）SiC MOSFET在短路应力下的退化机理与具体位置，为提升功率器件的长期可靠性提供了理论支撑。
English Abstract
Degradation of SiC power mosfets under repetitive short-circuit (SC) stress is significant to the reliability of the power systems. A deep level transient spectrum method together with split C-V method to split the trap characteristics of the SiC mosfets is proposed. The degradation details of different locations in SiC planar gate (PG) and trench gate (TG) mosfets are comprehensively studied in t...
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SunView 深度解读
SiC器件是阳光电源新一代组串式逆变器、PowerTitan系列储能系统及高压充电桩的核心功率组件。随着产品向高功率密度和高效率演进，SiC MOSFET的短路耐受能力与长期可靠性直接决定了系统的故障保护策略与寿命设计。本文提出的退化机理表征方法，有助于研发团队在器件选型阶段更精准地评估PG与TG结构在极端工况下的表现，优化驱动电路的短路保护逻辑，从而提升阳光电源全系列产品在复杂电网环境下的运行可靠性，降低现场故障率。