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基于瞬态电流的SiC MOSFET栅氧化层陷阱对阈值电压漂移影响的研究
Study of the Influence of Different Gate Oxide Traps on Threshold Voltage Drift of SiC MOSFET Based on Transient Current
| 作者 | Chunsheng Guo · Shaoxiong Cui · Yumeng Li · Bojun Yao · Yamin Zhang · Hui Zhu · Meng Zhang · Shiwei Feng |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 阈值电压漂移 栅极氧化层陷阱 瞬态电流 电力电子 可靠性 宽禁带半导体 |
语言:
中文摘要
本文旨在解决SiC MOSFET因栅氧化层陷阱导致的阈值电压漂移问题。通过研究不同陷阱对漂移规律的影响，明确了导致漂移的具体陷阱机制。研究基于瞬态电流分析，为提升SiC功率器件的长期运行稳定性提供了理论依据。
English Abstract
With the aim of resolving the threshold voltage drift problem of the silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (SiC mosfet), which is caused by traps, this article presents a study of the laws for the different traps that affect threshold voltage drift and also clarifies the details of the trap that leads to the SiC mosfet threshold voltage drift. First, based on use of the...
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SunView 深度解读
SiC MOSFET是阳光电源组串式逆变器、PowerTitan储能系统及高频充电桩的核心功率器件。阈值电压漂移直接影响器件的开关损耗、并联均流及长期可靠性。该研究揭示的陷阱机理有助于阳光电源在器件选型、驱动电路设计（如负压关断深度优化）及老化监测算法开发中提升产品可靠性。建议研发团队将此机理模型集成至iSolarCloud的故障诊断模块，通过监测瞬态电流特征，实现对核心功率模块健康状态的预判，从而降低系统运维成本。