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一种具有共模瞬态抗扰度和负电压操作设计的高频功率转换器单片GaN功率级
A Monolithic GaN Power Stage With Common-Mode Transient Immunity and Negative Voltage Operation Design for High-Frequency Power Converters
| 作者 | Rongxing Lai · Zekun Zhou · Junhong Wu · Yun Dai · Xinyang Liu · Bo Zhang · Yue Shi · Sichao Li · Zhigang Qin |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年7月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN 功率级 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 负压操作 高频功率变换 电平移位 集成电路 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种用于高频功率转换的单片氮化镓(GaN)功率级。该方案集成了GaN基电路与功率开关,重点解决了GaN应用场景中的共模瞬态抗扰度(CMTI)和负电压操作问题,并采用缓冲屏蔽电平移位技术,为高频电力电子应用提供了高性能集成解决方案。
English Abstract
This article presents a monolithic gallium nitride (GaN) power stage as a potential solution for high-frequency power conversion. The power stage incorporates fully integrated GaN-based circuits and power switches, offering consideration for common-mode transient immunity (CMTI) and negative voltage operation in GaN application scenarios. A buffered and shielded level shifting technique has been p...
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SunView 深度解读
GaN器件在高频化、高功率密度趋势下对阳光电源的产品升级至关重要。该研究提出的单片集成技术及CMTI优化方案,可直接赋能阳光电源的户用光伏逆变器及小型化充电桩产品,显著提升开关频率并减小磁性元件体积。建议研发团队关注其电平移位技术在驱动电路中的应用,以解决高频切换下的噪声干扰问题,提升系统可靠性。此外,该技术对于下一代轻量化、高效率的PowerStack储能模块设计具有重要的参考价值,有助于在激烈的市场竞争中实现差异化技术领先。