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集成于双通道驱动器的SiC MOSFET串联主动均压技术
Active Voltage Balancing With Seamless Integration Into Dual Gate Driver for Series Connection of SiC Mosfets
| 作者 | Rui Wang · Drazen Dujic |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 有源电压均衡 双栅极驱动器 串联连接 功率模块 高压变换器 |
语言:
中文摘要
本文针对SiC MOSFET半桥模块在串联应用中的电压不平衡问题，提出了一种集成于双通道门极驱动器（D-GD）的主动均压方案。该方法通过优化驱动电路设计，实现了高压转换器应用中SiC器件的高效串联，有效提升了功率模块在高压环境下的可靠性与工作性能。
English Abstract
The versatility of half-bridge configuration of silicon carbide (SiC) metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (mosfet) power module contributes to its widespread adoption, highlighting the popularity and significance of its corresponding dual gate driver (D-GD) design. For use in high-voltage converter designs, configuring the half-bridge module as series connection with effective voltag...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的高压储能系统（如PowerTitan系列）及大功率组串式逆变器具有重要意义。随着光伏与储能系统向更高直流电压等级（如1500V及以上）演进，SiC器件的串联应用成为提升功率密度和效率的关键。该主动均压方案能有效解决串联SiC器件的动态电压不平衡问题，降低对器件筛选的依赖，提升系统可靠性。建议研发团队关注该驱动集成技术，将其应用于下一代高压PCS及大功率逆变器功率模块设计中，以进一步优化系统成本并提升极端工况下的耐受能力。