← 返回
SiC半桥功率模块损耗不平衡的发现——分析与验证
Discovery of Loss Imbalance in SiC Half-Bridge Power Modules – Analysis and Validations
| 作者 | Benjamin Futtrup Kjærsgaard · Gao Liu · Thore Stig Aunsborg · Dipen Narendra Dalal · Jannick Kjær Jørgensen · Bjørn Rannestad · Hongbo Zhao · Stig Munk-Nielsen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 半桥功率模块 开关损耗 损耗不平衡 寄生电容 电力电子 效率优化 |
语言:
中文摘要
本文揭示了半桥功率模块中高侧与低侧SiC MOSFET开关损耗不一致的现象。研究发现，由于高侧栅极寄生电容的影响，高侧器件的开关损耗比低侧高出40%以上。该发现对中压功率模块的设计与效率优化具有重要参考价值。
English Abstract
It is commonly assumed that power semiconductor switching losses are the same for high-side and low-side devices in a half-bridge power module. However, this article reveals that the high-side SiC mosfet in a medium-voltage power module exhibits over 40% higher switching energy compared with the low-side SiC mosfet. The loss imbalance is attributed to the parasitic high-side gate capacitance in th...
S
SunView 深度解读
该研究对阳光电源的核心产品线（如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）具有重要指导意义。随着公司产品向高功率密度、高效率的SiC方案转型，高侧与低侧损耗不平衡问题直接影响模块的热设计与寿命评估。建议研发团队在设计阶段引入该寄生参数模型，优化驱动电路布局与驱动参数，以平衡热应力，提升逆变器及PCS在极端工况下的可靠性与使用寿命。