← 返回
基于高斯曲线拟合的宽禁带半导体开关损耗评估改进方法
Improved Methodology for Estimating Switching Losses of Wide-Bandgap Semiconductors Using Gaussian Curve Fitting
| 作者 | Briana M. Bryant · Andrew N. Lemmon · Brian T. DeBoi · Christopher D. New · Sergio J. Jimenez |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 SiC器件 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 开关损耗 宽禁带半导体 高斯曲线拟合 电力电子 能量损耗 半导体器件 |
语言:
中文摘要
准确评估开关损耗对宽禁带半导体硬开关应用至关重要。传统方法通过积分瞬时功率波形计算开关能量损耗，但存在测量误差等问题。本文提出一种基于高斯曲线拟合的改进方法，旨在更精确地评估半导体器件的开关损耗，提升电力电子系统的性能评估精度。
English Abstract
The accurate assessment of switching losses is critical for evaluating the achievable performance of hard-switched applications implemented with wide-bandgap semiconductors. The traditional method for evaluating the switching losses for a particular semiconductor device requires integrating the calculated instantaneous power waveform to compute switching energy loss. However, a potential problem a...
S
SunView 深度解读
该研究直接服务于阳光电源的核心竞争力。随着公司在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC等宽禁带器件，开关损耗的精准评估对于提升系统效率、优化散热设计及降低成本至关重要。该高斯拟合方法可集成至研发测试流程中，帮助工程师更准确地量化损耗，从而优化PWM控制策略，提升逆变器及PCS的整机效率。此外，该方法有助于提升功率模块的可靠性评估水平，为公司在极端工况下的产品设计提供更可靠的数据支撑。