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一种利用源极寄生电阻和电感提取SiC功率MOSFET漏极电流的技术
A Drain Current Extraction Technique Using Source Parasitic Resistance and Inductance in SiC Power MOSFETs
| 作者 | Tiantian Liu · Yuhua Quan · Xuetong Zhou · Yufei Tian · Junhong Feng · Xinhong Cheng · Li Zheng · Wai Tung Ng · Yuehui Yu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 故障诊断 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC功率MOSFET 漏极电流提取 寄生参数 开尔文源极 实时监测 封装寄生参数 电力电子 |
语言:
中文摘要
为实时监测碳化硅（SiC）功率MOSFET的运行状态，本文提出了一种基于封装寄生参数的在路漏极电流提取技术。通过对开尔文源极与功率源极之间的连接进行建模，将其等效为串联的电阻（RSS）和电感（LSS）。通过对RSS和LSS两端的电压进行积分和采样，可实现对漏极电流的实时重构。
English Abstract
In order to monitor the operating status of silicon carbide power mosfets, an in-circuit real-time drain current extraction technique based on packaging parasitic parameters is proposed. The connection between the Kelvin source and the power source is modeled as a resistor (RSS) and inductor (LSS) in series. By integrating and sampling the voltage across the series combination of RSS and LSS as th...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心业务具有极高的应用价值。随着公司在光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC功率模块，实现对器件电流的实时、高精度监测对于提升系统可靠性和故障诊断能力至关重要。该方法无需额外的电流传感器，有助于降低系统成本并减小体积。建议研发团队将其集成至iSolarCloud智能运维平台或逆变器驱动控制板中，通过监测SiC器件的实时电流波形，实现更精准的过流保护、寿命预测及早期故障预警，从而进一步提升阳光电源产品的全生命周期可靠性。