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基于寄生参数影响补偿的SiC MOSFET芯片精确提取

Accurate SiC MOSFET Chip Extraction Based on Parasitic Parameter Impact Compensation

作者 Yang Li · Yuan Gao · Yan Zhang · Jinjun Liu · Cheng Nie
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2023年3月
技术分类 功率器件技术
技术标签 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 SiC MOSFET 寄生参数 补偿 测量精度 电力电子 器件表征
语言:

中文摘要

随着SiC MOSFET在电力电子设备中的广泛应用,获取精确的器件波形与特性对于制造、变换器设计及运行评估至关重要。本文针对现有测量技术中寄生参数干扰的问题,提出了一种基于寄生参数影响补偿的精确提取方案,旨在提升SiC器件在实际应用中的测量精度与模型准确性。

English Abstract

With the growing use of SiC mosfet in power electronic equipment, it is meaningful to extract precise typical waveforms and characteristics for device manufacture, converter design, and operating evaluation. Many solutions have been proposed to improve measurement precision by equipment and essential techniques. However, the measured object should also be accurately identified as the existing meas...
S

SunView 深度解读

该研究直接服务于阳光电源的核心功率电子技术领域。随着公司组串式逆变器及PowerTitan系列储能PCS向更高功率密度和更高开关频率演进,SiC MOSFET的应用已成为提升效率的关键。该技术能显著提升公司在功率模块选型、驱动电路优化及热仿真模型建立中的精度,有助于缩短研发周期并提升产品可靠性。建议研发团队将其应用于高频变换器设计及功率模块的失效分析中,以进一步优化逆变器与PCS的动态性能。