← 返回
双面冷却模块中热阻固有含义的理解
Understanding Inherent Implication of Thermal Resistance in Double-Side Cooling Module
| 作者 | Lubin Han · Lin Liang · Ziyang Zhang · Yong Kang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 热仿真 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 双面冷却 热阻 SiC MOSFET 热管理 功率模块 封装 |
语言:
中文摘要
随着高功率密度和快速开关需求增长，双面冷却（DSC）封装在碳化硅（SiC）MOSFET中应用日益广泛。本文针对DSC模块非对称双热流路径带来的热阻定义模糊问题，深入探讨了其测量与建模方法，为高功率密度功率模块的热管理设计提供了理论支撑。
English Abstract
The double-side cooling (DSC) packaging becomes more and more popular with the great demands of high power and fast speed, especially for silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistors. Measurements and modeling of thermal resistance are critical for thermal management of DSC module. However, the thermal resistance of DSC module is still unclear due to the asymmetric dual therm...
S
SunView 深度解读
该研究直接服务于阳光电源的高功率密度产品线，特别是组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统。随着SiC器件在这些产品中的大规模应用，双面冷却技术是实现更高功率密度和更优散热的关键。通过深入理解DSC模块的热阻特性，研发团队可优化功率模块的封装设计与热仿真模型，从而提升逆变器和PCS在极端工况下的可靠性与过载能力，降低系统温升，延长核心器件寿命，进一步巩固阳光电源在电力电子变换效率与功率密度方面的行业领先地位。