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基于PCB线圈电流传感器的分立式SiC MOSFET超快速保护
Ultrafast Protection of Discrete SiC MOSFETs With PCB Coil-Based Current Sensors
| 作者 | Aamir Rafiq · Sumit Pramanick |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 短路保护 PCB 线圈 电流检测 电力电子 宽禁带器件 可靠性 |
语言:
中文摘要
碳化硅（SiC）MOSFET显著提升了电力电子变换器的效率与功率密度，但其短路耐受时间较短。本文提出了一种针对TO-247封装SiC MOSFET的超快速短路保护方案，利用PCB线圈作为电流传感器，实现了对器件故障的快速检测与保护。
English Abstract
Silicon carbide (SiC) mosfets offer significant advantages in terms of improved efficiency and reduced size of power electronic converters. However, they possess lesser short-circuit withstand time than silicon devices. An ultrafast short-circuit protection scheme for TO-247 packaged SiC mosfets is presented in this article. The protection scheme utilizes printed circuit board (PCB) coils to sense...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向高功率密度、高开关频率演进，SiC器件的应用日益广泛。然而，SiC器件脆弱的短路耐受能力是制约系统可靠性的瓶颈。该方案通过PCB集成电流检测实现超快速保护，无需昂贵的专用驱动芯片，能有效提升阳光电源逆变器及PCS产品的短路故障响应速度，降低器件失效风险。建议研发团队评估该PCB线圈方案在紧凑型功率模块中的集成可行性，以优化产品的热管理与保护电路设计。