碳化硅MOSFET第三象限特性研究

Investigation Into the Third Quadrant Characteristics of Silicon Carbide MOSFET

作者	Lei Tang · Huaping Jiang · Xiaohan Zhong · Guanqun Qiu · Hua Mao · Xiaofeng Jiang · Xiaowei Qi · Changhong Du · Qianlei Peng · Li Liu · Li Ran
期刊	IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期	2023年1月
技术分类	功率器件技术
技术标签	SiC器件宽禁带半导体功率模块储能变流器PCS
相关度评分	★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词	碳化硅 (SiC) MOSFET 第三象限特性续流功率密度电力电子死区时间

语言:

中文摘要

由于碳化硅（SiC）MOSFET性能优越，其应用日益广泛。为提升功率密度，研究倾向于利用MOSFET的第三象限特性替代外并肖特基二极管进行死区续流。本文深入探讨了SiC MOSFET第三象限的导通特性、体二极管行为及其对系统效率和可靠性的影响。

English Abstract

Owing to the superior performances, silicon carbide (SiC) metal oxide semiconductor field effect transistors (mosfets) attract a lot of attention. To increase the power density, it is desired to use the third quadrant (3rd-quad) characteristics of the mosfet rather than the externally paralleled Schottky diode for freewheeling during the deadtime. It has been known that the 3rd-quad is far more th...

SunView 深度解读

该研究对阳光电源的高功率密度产品线至关重要。随着PowerTitan系列储能系统及组串式逆变器向更高功率密度演进，利用SiC MOSFET的第三象限特性替代外置二极管，可有效减小模块体积并降低损耗。建议研发团队在设计高频DC-DC及逆变电路时，重点评估该特性在不同死区时间下的导通损耗与可靠性，优化驱动电路以抑制第三象限工作时的电压尖峰，从而进一步提升iSolarCloud平台下各产品的能效表现与市场竞争力。