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宽禁带功率半导体封装顶部互连技术综述
Review of Topside Interconnections for Wide Bandgap Power Semiconductor Packaging
| 作者 | Lisheng Wang · Wenbo Wang · Raymond J. E. Hueting · Gert Rietveld · Jan Abraham Ferreira |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 宽禁带半导体 SiC器件 GaN器件 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 宽禁带半导体 功率半导体封装 顶层互连 寄生参数 电力电子 可靠性 热管理 |
语言:
中文摘要
宽禁带（WBG）半导体凭借优异的材料特性，在高温、高频和高效率应用中表现卓越。然而，传统的铝线键合互连技术限制了其性能发挥，主要受限于寄生参数等问题。本文综述了针对WBG器件的先进顶部互连技术，旨在提升功率模块的整体性能与可靠性。
English Abstract
Due to their superior material properties, wide bandgap (WBG) semiconductors enable the application of power electronics at higher temperature operation, higher frequencies, and higher efficiencies compared to silicon (Si). However, the commonly-used aluminum wire bonding as topside interconnection technology prevents WBG semiconductors from reaching their full potential, due to inherent parasitic...
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SunView 深度解读
该技术直接影响阳光电源核心产品线的竞争力。随着公司在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器中加速导入SiC器件，传统的铝线键合已成为提升功率密度和开关频率的瓶颈。采用先进的顶部互连技术（如铜夹片、烧结技术等）可显著降低寄生电感，减小开关损耗，并提升模块在高温环境下的可靠性。建议研发团队重点关注该互连技术在下一代高功率密度SiC模块中的应用，以进一步缩小产品体积，提升整机效率，并在高频化趋势下保持行业领先地位。