Lisheng Wang · Wenbo Wang · Raymond J. E. Hueting · Gert Rietveld 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年1月

宽禁带（WBG）半导体凭借优异的材料特性，在高温、高频和高效率应用中表现卓越。然而，传统的铝线键合互连技术限制了其性能发挥，主要受限于寄生参数等问题。本文综述了针对WBG器件的先进顶部互连技术，旨在提升功率模块的整体性能与可靠性。

解读: 该技术直接影响阳光电源核心产品线的竞争力。随着公司在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器中加速导入SiC器件，传统的铝线键合已成为提升功率密度和开关频率的瓶颈。采用先进的顶部互连技术（如铜夹片、烧结技术等）可显著降低寄生电感，减小开关损耗，并提升模块在高温环境下的可靠性。建议研发团...