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高温应用下SiC MOSFET反向恢复现象的研究
Investigation of Reverse Recovery Phenomenon for SiC MOSFETs in High-Temperature Applications
| 作者 | Cheng Qian · Zhiqiang Wang · Da Zhou · Yuxin Ge · Yimin Zhou · Xingyuan Yan · Guoqing Xin · Xiaojie Shi |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年11月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 反向恢复 高温应用 电力电子 等效电路模型 半导体器件 |
语言:
中文摘要
本文研究了SiC器件在25°C至250°C高温环境下的反向恢复现象。文章分析了反向恢复机制及其影响因素，提出了分段等效电路模型，并探讨了两种可能加剧反向恢复的不匹配工况，为高温功率电子系统的设计提供了理论依据。
English Abstract
This article presents an investigation of the reverse recovery phenomenon for SiC devices in high-temperature applications (from 25 °C to 250 °C). First, the mechanism of reverse recovery and corresponding influencing factors are analyzed. A piecewise equivalent circuit model is proposed to analyze reverse recovery. Second, two mismatch conditions, which may worsen the reverse recovery, are also i...
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SunView 深度解读
SiC器件是阳光电源提升光伏逆变器和储能PCS功率密度与效率的核心。随着PowerTitan等储能系统及组串式逆变器向更高功率密度演进，器件在高温下的热应力与开关特性至关重要。本文提出的高温反向恢复模型及不匹配工况分析，可直接指导阳光电源研发团队在高温高频工况下的驱动电路优化与功率模块热设计，有效降低开关损耗并提升系统可靠性，特别是在极端环境下的户外电站应用中具有重要的工程参考价值。