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重复短路脉冲下平面型、对称及非对称沟槽型SiC MOSFET的退化分析
Degradation Analysis of Planar, Symmetrical and Asymmetrical Trench SiC MOSFETs Under Repetitive Short Circuit Impulses
| 作者 | Renze Yu · Saeed Jahdi · Phil Mellor · Li Liu · Juefei Yang · Chengjun Shen · Olayiwola Alatise · Jose Ortiz-Gonzalez |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年9月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 短路 可靠性 退化机理 沟槽结构 平面结构 电热行为 TCAD |
语言:
中文摘要
本文分析了平面型、对称及非对称沟槽型SiC MOSFET在300K和450K温度下，经受重复短路脉冲时的可靠性。通过测量静态和动态参数，表征了三种结构的退化模式，并结合TCAD仿真揭示了其内部电热行为及退化机理。
English Abstract
In this article, the reliability of planar, symmetrical, and asymmetrical trench SiC mosfets is analysed under repetitive short circuit impulses at 300 and 450 K. Both static and dynamic parameters are measured to characterize the degradation pattern of the three mosfet structures. The degradation mechanisms are analyzed and the internal electro-thermal behavior of mosfets is revealed through TCAD...
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SunView 深度解读
SiC MOSFET是阳光电源组串式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器以及电动汽车充电桩的核心功率器件。随着公司产品向高功率密度、高效率演进，SiC器件的应用日益广泛。本文深入对比了不同沟槽结构在极端短路工况下的退化机理，对阳光电源在功率模块选型、驱动保护电路设计及系统级可靠性评估具有重要指导意义。建议研发团队参考该研究，针对不同SiC结构优化短路保护策略，以提升产品在严苛电网环境下的长期运行寿命。