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不同功率循环导通模式下商用SiC MOSFET老化前兆与失效机理的对比研究
Comparative Investigation on Aging Precursor and Failure Mechanism of Commercial SiC MOSFETs Under Different Power Cycling Conduction Modes
| 作者 | Mei Wang · Yuan Chen · Zhiyuan He · Zhaohui Wu · Bin Li |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 功率循环测试 SiC MOSFET 长期可靠性 老化前兆 失效机理 封装可靠性 |
语言:
中文摘要
功率循环测试(PCT)是评估SiC MOSFET长期可靠性的关键方法。本文探讨了在多种失效机理竞争环境下,单一老化前兆失效的问题,并深入分析了不同导通模式对封装可靠性的影响,旨在优化SiC器件在电力电子系统中的寿命预测与可靠性评估。
English Abstract
Power cycling test (PCT) is an effective method to evaluate the SiC mosfets' long-term reliability, including lifetime and degradation mechanisms. Some of the aging precursors of PCT have been identified in the previous literature. But when multiple failure mechanisms compete with each other, the individual precursors are nullified. Although PCT is mainly used to evaluate the package reliability, ...
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SunView 深度解读
SiC器件是阳光电源组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩提升效率与功率密度的核心。该研究关于SiC MOSFET在复杂功率循环下的老化机理分析,对阳光电源提升产品在极端工况下的可靠性至关重要。建议研发团队利用该研究成果优化功率模块的封装设计与热管理策略,并将其转化为iSolarCloud智能运维平台中针对功率器件的健康状态(SOH)监测算法,从而实现对逆变器及PCS核心部件的预测性维护,降低全生命周期运维成本。