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基于瞬态漏极电流的沟槽栅SiC MOSFET陷阱表征
Trap Characterization of Trench-Gate SiC MOSFETs Based on Transient Drain Current
| 作者 | Shan Jiang · Meng Zhang · Xianwei Meng · Xiang Zheng · Shiwei Feng · Yamin Zhang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 沟槽栅 界面态 陷阱表征 瞬态漏极电流 贝叶斯反卷积 可靠性 |
语言:
中文摘要
SiC/SiO2界面态是限制SiC MOSFET性能与可靠性的关键因素。本文提出一种基于瞬态电流法的贝叶斯反卷积算法，优化了陷阱特征提取过程，显著提升了提取精度，并深入研究了陷阱捕获机制。
English Abstract
The SiC/SiO2 interface state is one of the main factors that limit the performance and reliability of the SiC metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET). In this article, we use a Bayesian deconvolution algorithm to optimize trap feature extraction based on the transient current method and improve the trap extraction accuracy. Using this method, we study the trap capture mechanism ...
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SunView 深度解读
SiC MOSFET是阳光电源组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩实现高功率密度与高效率的核心器件。沟槽栅（Trench-gate）结构虽能降低导通电阻，但其界面陷阱对长期可靠性影响显著。该研究提出的贝叶斯反卷积陷阱表征方法，有助于研发团队在器件选型与模块设计阶段更精准地评估SiC器件的长期稳定性。建议将此方法引入功率模块的可靠性测试流程，优化驱动电路设计以抑制陷阱效应，从而提升阳光电源产品在极端工况下的寿命与性能表现。