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高压SiC MOSFET开通开关瞬态建模中的电容变化与栅极电压迟滞效应
Capacitance Variations and Gate Voltage Hysteresis Effects on the Turn-ON Switching Transients Modeling of High-Voltage SiC MOSFETs
| 作者 | Gard Lyng Rødal · Yoganandam Vivekanandham Pushpalatha · Daniel Alexander Philipps · Dimosthenis Peftitsis |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 开关瞬态 动态行为模型 非线性电容 栅极电压迟滞 功率模块 高压 大电流 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种针对高压大电流碳化硅（SiC）MOSFET半桥功率模块开通瞬态的离散化、实时动态行为模型。该模型利用Shichman-Hodges方程，结合电压相关的非线性器件电容及模块寄生参数，实现了对开关过程的精确建模。
English Abstract
In this article, we present a discrete and real-time capable dynamic behavioral model of the turn-on switching transition of high-voltage and high-current silicon carbide (SiC) metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (mosfet) half-bridge power modules. The dynamic switching model utilizes the Shichman and Hodges equations using voltage-dependent nonlinear device capacitances and module e...
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阳光知情 深度解读
随着阳光电源在组串式逆变器、PowerTitan及PowerStack储能系统中大规模应用SiC功率器件以提升功率密度和转换效率，该研究具有极高的工程价值。精确的开关瞬态模型有助于优化驱动电路设计，抑制电压尖峰与电磁干扰，从而提升系统可靠性。建议研发团队将该模型集成至iSolarCloud的数字孪生仿真平台中，用于评估SiC模块在复杂工况下的动态热应力与开关损耗，进一步优化高频变换器的控制策略，降低系统损耗。