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基于双栅GaN HEMT的高功率耐受与紧凑型宽带电压可变衰减器
A Broadband Voltage Variable Attenuator With High-Power Tolerance and Compact Size Based on Dual-Gate GaN HEMTs
| 作者 | Zhifu Hu · Shaohua Zhou · Ruicong He · Qijun Zhang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★ 2.0 / 5.0 |
| 关键词 | 宽带 电压可变衰减器 双栅GaN HEMT 高功率耐受性 分布式堆叠结构 芯片面积 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种基于双栅高电子迁移率晶体管（HEMT）的宽带电压可变衰减器（VVA）。通过采用分布式堆叠结构替代单栅HEMT，该方法在保证带宽和功率耐受性的前提下，显著减小了芯片面积并降低了成本，验证了其在高频功率控制中的应用潜力。
English Abstract
To achieve a broadband and high-power tolerance voltage variable attenuator (VVA), this article replaces the single-gate high-electron-mobility transistor (HEMT) with a dual-gate HEMT based on the distributed stacked structure VVA proposed by Qorvo, which can effectively reduce the chip area and cost while ensuring the bandwidth and power tolerance. To verify the effectiveness of this method, a dc...
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SunView 深度解读
该研究聚焦于宽禁带半导体（GaN）在射频与高频功率控制领域的应用，展示了双栅结构在提升功率密度和集成度方面的优势。对于阳光电源而言，虽然目前核心产品线（如光伏逆变器、储能PCS）主要基于SiC和IGBT技术，但随着未来电力电子设备向更高频、更小型化方向演进，GaN器件在辅助电源、高频驱动电路及智能运维平台的信号处理模块中具有潜在应用价值。建议研发团队关注GaN器件在高功率密度变换器中的集成技术，以进一步优化产品体积与效率。