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电动汽车驱动 SiC器件 ★ 4.0

基于宽带Rogowski线圈电流传感器的中压SiC MOSFET过流保护

Overcurrent Protection Enabled by Broadband Rogowski Coil Current Sensor for Medium-Voltage SiC MOSFET

Jiakun Gong · Yulei Wang · Liang Wang · Mingrui Zou 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

为确保耐用性有限的昂贵中压(MV)器件安全切换,基于罗氏线圈电流传感器(RCCS)的过流保护方案是一种很有前景的方法,具有响应速度快和电气隔离的特点。然而,要使罗氏线圈电流传感器同时具备高抗噪能力和高带宽性能存在固有矛盾。此外,积分器不理想的直流和低频特性会导致漂移和下垂误差。为应对上述挑战,本文研制了宽带罗氏线圈电流传感器,并将其集成到中压碳化硅(SiC)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)的过流保护电路中。基于传输线理论设计了新型线圈,以克服寄生元件对带宽的限制。所设计的...

解读: 从阳光电源的业务角度分析,这项基于罗氏线圈电流传感器的过流保护技术对我们的中压光伏逆变器和储能系统具有重要战略价值。随着1500V直流系统在大型地面电站的普及,以及储能系统向更高电压等级发展,中压SiC MOSFET正成为我们功率变换拓扑的核心器件。然而,这类器件价格昂贵且耐受能力有限,快速可靠的过...

拓扑与电路 ★ 4.0

基于Bi2O2Se/CdSe垂直型II类异质结的宽带、高性能自供电光电探测器

Broadband, High-performance, and Self-Powered Photodetector based on a Bi2O2Se/CdSe vertical type-II heterojunction

Qianjin Wang · Qicheng Zhang · Peizhi Yang · Yingkai Liu 等5人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年9月

目前,基于 Bi₂O₂Se 的光电探测器存在响应度低、探测灵敏度有限以及宽带光响应能力不足等问题,这极大地阻碍了其在高性能光电器件中的实际应用。为克服这些局限,本研究设计并制备了一种基于垂直堆叠 Bi₂O₂Se/CdSe 异质结的宽带(300 - 1300 nm)高性能光电探测器。在 560 nm 光照和 5 V 偏置电压下,该器件表现出 6.18×10³ A/W 的高响应度、1.46×10⁴ 的开关比以及 1.95×10¹⁴ Jones 的比探测率。值得注意的是,即使在零偏置条件下,该器件仍能...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,该Bi₂O₂Se/CdSe异质结自供电光电探测器技术展现出与我司核心业务领域的多维度协同潜力。 **直接应用价值**:该器件在零偏压条件下仍保持1.99 A/W的响应度和2.52×10³的开关比,其自供电特性与我司分布式光伏和储能系统的智能监控需求高度契合。在光伏电站的组...