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用于并联SiC MOSFET动态电流平衡的有源栅极驱动器
Active Gate Driver for Dynamic Current Balancing of Parallel-Connected SiC MOSFETs
| 作者 | Yang He · Xun Wang · Shuai Shao · Junming Zhang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFETs 并联连接 有源门极驱动器 电流均衡 开关暂态 功率损耗 热分布 |
语言:
中文摘要
在高功率应用中，并联SiC MOSFET以提升电流等级是必然趋势。然而，开关瞬态过程中的动态电流不平衡会导致功率损耗和热分布不均。本文提出了一种基于新型有源栅极驱动器（AGD）的动态电流平衡方法，有效解决了并联应用中的这一挑战。
English Abstract
In high-power applications, parallel connection of discrete silicon carbide (SiC) mosfets is necessary to increase the current rating. However, the unbalanced dynamic current during switching transient may cause unequal power loss and thermal distribution, which is a great challenge in parallel applications. In this article, a dynamic current balancing method based on a new active gate driver (AGD...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的高功率密度产品至关重要。在PowerTitan储能系统及大型集中式光伏逆变器中，SiC MOSFET的并联应用是提升效率和功率密度的核心。动态电流平衡技术能显著降低并联器件间的应力差异，提升模块的长期可靠性，并减少因热失配导致的故障风险。建议研发团队评估该有源驱动方案在下一代高功率密度PCS模块中的集成可行性，以优化开关损耗并简化散热设计，进一步巩固阳光电源在宽禁带半导体应用领域的领先地位。