碳化硅与硅功率MOSFET栅极电容特性再探

Gate Capacitance Characterization of Silicon Carbide and Silicon Power mosfets Revisited

作者	Roger Stark · Alexander Tsibizov · Ivana Kovacevic-Badstuebner · Thomas Ziemann · Ulrike Grossner
期刊	IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期	2022年9月
技术分类	功率器件技术
技术标签	SiC器件宽禁带半导体功率模块可靠性分析
相关度评分	★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词	功率MOSFET 栅极电容 C-V特性表征开关行为紧凑模型碳化硅 SiC 器件性能

语言:

中文摘要

本文探讨了功率MOSFET的栅极电容-电压（C-V）特性对器件动态性能的影响。准确的C-V表征对于评估开关行为及校准紧凑模型中的集总等效电容至关重要，本文对此进行了全面分析。

English Abstract

Capacitance–voltage (C–V) gate characteristics of power metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (mosfets) play an important role in the dynamic device performance. C–V characterization of the mosfet gate structure is a necessary step for evaluating the mosfet switching behavior and calibrating lumped equivalent capacitances of mosfet compact models. This article presents a comprehensive...

SunView 深度解读

该研究直接服务于阳光电源核心产品线的功率器件选型与驱动优化。随着公司在组串式逆变器和PowerTitan储能系统中大规模应用SiC MOSFET，精确的栅极电容建模对于优化驱动电路设计、降低开关损耗及提升电磁兼容性（EMC）至关重要。建议研发团队利用该研究方法，针对高频化趋势下的SiC器件进行更精细的动态特性建模，以提升逆变器和PCS的转换效率与功率密度，同时为iSolarCloud平台的寿命预测模型提供更准确的器件级数据支撑。