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一种具有超低寄生电感的PCB嵌入式GaN全桥模块
A Highly Integrated PCB Embedded GaN Full-Bridge Module With Ultralow Parasitic Inductance
| 作者 | Zhiyuan Qi · Yunqing Pei · Laili Wang · Qingshou Yang · Kangping Wang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN 器件 PCB 嵌入式封装 功率模块 寄生电感 高频 全桥 栅极驱动器 功率密度 |
语言:
中文摘要
为充分发挥氮化镓（GaN）器件的高频优势，本文提出了一种基于PCB嵌入技术的面朝上集成功率模块，解决了传统分立方案带来的寄生参数挑战。该模块高度集成了GaN裸片全桥、驱动电路及去耦电容，有效降低了寄生电感，提升了高频功率变换性能。
English Abstract
To fully take the high-frequency advantage of gallium nitride (GaN) devices, this article presents a face-up integrated power module based on the printed circuit board embedding technology to tackle the challenges caused by the conventional discrete solutions. The proposed GaN module highly integrates a GaN-bare-dies-based full bridge, driving circuits, and decoupling capacitors, in which the adva...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的组串式光伏逆变器及户用储能系统具有重要价值。随着逆变器向高功率密度和高开关频率发展，传统分立器件方案受限于寄生电感，难以进一步提升效率。PCB嵌入式GaN模块能显著降低开关损耗和电压尖峰，直接提升逆变器效率并减小磁性元件体积。建议研发团队关注该封装技术在户用逆变器及微型逆变器中的应用，以实现产品的小型化与高性能化，保持在宽禁带半导体应用领域的领先地位。