具有98.5%转换效率和百万次过压耐受能力的1.95-kV斜面台面NiO/β-Ga2O3异质结二极管

1.95-kV Beveled-Mesa NiO/β-Ga2O3 Heterojunction Diode With 98.5% Conversion Efficiency and Over Million-Times Overvoltage Ruggedness

作者	Feng Zhou · Hehe Gong · Weizong Xu · Xinxin Yu · Yang Xu · Yi Yang · Fang-fang Ren · Shulin Gu · Youdou Zheng · Rong Zhang · Jiandong Ye · Hai Lu
期刊	IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期	2022年2月
技术分类	功率器件技术
技术标签	宽禁带半导体功率模块可靠性分析 PFC整流
相关度评分	★★★★ 4.0 / 5.0
关键词	Ga2O3 异质结二极管功率因数校正可靠性宽禁带电力电子

语言:

中文摘要

氧化镓（Ga2O3）功率二极管的发展受限于系统级应用性能评估与可靠性验证的缺失。本文通过将斜面台面NiO/Ga2O3 p-n异质结二极管（HJD）应用于500W功率因数校正（PFC）电路，验证了其在高压环境下的优异性能与可靠性，为该器件的商业化进程提供了关键支撑。

English Abstract

The technical progress of Ga2O3 power diodes is now stuck at a critical point where a lack of performance evaluation and reliability validation at the system-level applications seriously limits their further development and even future commercialization. In this letter, by implementing beveled-mesa NiO/Ga2O3 p–n heterojunction diodes (HJDs) into a 500-W power factor correction (PFC) system circuit...

SunView 深度解读

氧化镓作为超宽禁带半导体，在提升功率密度和耐压水平方面具有巨大潜力。对于阳光电源而言，该技术若实现商业化，可显著优化组串式逆变器及户用储能系统中的PFC级电路效率，进一步缩小功率模块体积。建议研发团队持续关注其在高温、高压下的长期可靠性表现，评估其在未来高压光伏系统及下一代高密度储能变流器（PCS）中替代SiC器件的可行性，以保持在功率电子领域的技术领先地位。