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串联SiC MOSFET及体二极管的电压均衡分析
Analysis of Voltage Sharing of Series-Connected SiC MOSFETs and Body-Diodes
| 作者 | Xiang Lin · Lakshmi Ravi · Yuhao Zhang · Rolando Burgos · Dong Dong |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年7月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 串联 电压不平衡 寄生电容 中压 电力变换 阻断电压 |
语言:
中文摘要
近年来，SiC MOSFET在中压电力转换应用中备受关注。为提升阻断电压等级，串联SiC MOSFET是一种极具吸引力的方案，但常面临严重的电压不平衡问题。本文详细研究了寄生电容对电压不平衡的影响，为解决该问题提供了深入见解。
English Abstract
In recent years, SiC MOSFETs have gained strong attention in medium-voltage power conversion applications. To increase the blocking voltage level, series-connection of SiC MOSFETs is an attractive solution but may suffer a severe voltage unbalance issue. To gain insights into the voltage unbalance issue, this article presents a detailed study of the impact of parasitic capacitors on the voltage sh...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在大型地面电站及储能领域向更高电压等级（如1500V及以上）迈进，SiC器件的应用已成为提升功率密度和效率的关键。该研究针对串联SiC MOSFET的电压不平衡问题，对公司在研发高压组串式逆变器及PowerTitan系列大功率储能变流器（PCS）时，优化功率模块驱动电路设计、提升系统可靠性具有重要指导意义。建议研发团队结合该分析方法，在模块封装及驱动电路设计中引入主动均压策略，以降低高压应用下的器件应力，延长设备寿命。