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基于宽禁带半导体三相高频电压源变换器的六边形Sigma-Delta调制综合分析
Comprehensive Analysis of Hexagonal Sigma-Delta Modulations for Three-Phase High-Frequency VSC Based on Wide-Bandgap Semiconductors
| 作者 | David Lumbreras · Jordi Zaragoza · Nestor Berbel · Juan Mon · Eduardo Galvez · Alfonso Collado |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年6月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | SiC器件 PWM控制 三相逆变器 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 宽禁带半导体 SiC 电压源变换器 Sigma-delta调制 高频调制 功率效率 |
语言:
中文摘要
本文针对采用碳化硅（SiC）器件的电压源变换器（VSC），提出并分析了单环和双环六边形Sigma-Delta（H-ΣΔ和DH-ΣΔ）调制技术。该方法旨在通过高频调制显著提升宽禁带半导体变换器的效率，相较于传统调制方式，在高频运行下表现出更优的性能。
English Abstract
The efficiency of wide-bandgap (WBG) power converters can be greatly improved using high-frequency modulation techniques. This article proposes using single-loop and doubleloop hexagonal sigma-delta (H-ΣΔ and DH-ΣΔ, respectively) modulations for voltage source converters (VSC) that use silicon carbide (SiC) semiconductors. These allow high switching frequencies to operate more efficiently than sil...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着SiC器件在组串式光伏逆变器（如SG系列）及储能变流器（如PowerTitan系列）中的广泛应用，高频化已成为提升功率密度和转换效率的关键路径。六边形Sigma-Delta调制技术能有效优化SiC器件在高频下的开关损耗，有助于进一步缩小逆变器体积并提升整机效率。建议研发团队在下一代高功率密度组串式逆变器及工商业储能PCS的控制算法中引入该调制策略，以应对高频开关带来的EMI及损耗挑战，保持产品在市场中的技术领先地位。