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基于准Z源和升压拓扑的输入级高频SiC逆变器——实验对比
High-Frequency SiC-Based Inverters With Input Stages Based on Quasi-Z-Source and Boost Topologies—Experimental Comparison
| 作者 | Kornel Wolski · Mariusz Zdanowski · Jacek Rabkowski |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年10月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | SiC器件 三相逆变器 宽禁带半导体 光伏逆变器 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 准Z源逆变器 升压拓扑 高频 三相逆变器 电力电子 效率 |
语言:
中文摘要
本文对比了三种三相两电平逆变器拓扑：准Z源逆变器（qZSI）、带升压变换器的电压源逆变器以及带交错升压变换器的电压源逆变器。通过基于SiC MOSFET和肖特基二极管的6kW、100kHz实验样机，对各拓扑的性能进行了实测与分析。
English Abstract
This paper contains a comparison between three topologies of a three-phase two-level inverter: A quasi-Z-source inverter (qZSI), a voltage-source inverter with a boost converter and a voltage-source inverter with an interleaved boost converter. experimental results obtained from laboratory tests of equivalent 6-kW 100-kHz inverters based on SiC mosfets and Schottky diodes are provided. The followi...
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SunView 深度解读
该研究聚焦于高频SiC功率器件在不同升压拓扑中的应用，对阳光电源的组串式光伏逆变器及储能PCS产品线具有重要参考价值。随着光伏逆变器向高功率密度和高效率演进，SiC器件的应用已成为主流趋势。qZSI拓扑在单级升压转换中具有独特优势，可简化系统结构，降低成本。建议研发团队关注高频化带来的EMI及热管理挑战，评估该类拓扑在户用及工商业光伏逆变器中的应用潜力，以进一步提升产品转换效率并减小体积。