← 返回
一种基于SiC MOSFET动态振荡的频率基杂散参数提取方法
A Frequency-Based Stray Parameter Extraction Method Based on Oscillation in SiC MOSFET Dynamics
| 作者 | Sideng Hu · Mingyang Wang · Zipeng Liang · Xiangning He |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 杂散参数 杂散电感 动态开关 振荡 参数提取 电力电子 |
语言:
中文摘要
SiC器件的动态开关过程与电路杂散参数密切相关。本文提出了一种独立于变换器拓扑的SiC MOSFET专用提取平台，可实验提取变换器中任意功率流路径的杂散电感。该方法仅利用SiC器件的电压振荡特性即可实现参数提取。
English Abstract
The dynamic switching procedure of an SiC device is highly related to the circuit stray parameters. Based on that fact, a specific extraction platform with SiC mosfet is presented as the extraction tool and works independently with the converter topology. The stray inductance for the arbitrary power flow path in the converter can be experimentally extracted. As only the voltage oscillation in SiC ...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心业务（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统）具有极高价值。随着公司产品向高功率密度、高开关频率演进，SiC器件的杂散参数对开关损耗、电压尖峰及EMI特性影响显著。该方法无需复杂拓扑即可精确提取杂散电感，有助于优化PCB布局设计，提升SiC功率模块的可靠性与效率。建议在研发阶段引入该提取方法，以优化高频逆变器及PCS产品的电磁兼容性设计，降低器件过压风险，进一步巩固公司在宽禁带半导体应用领域的领先地位。