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键合线半桥SiC多芯片功率模块的寄生电感建模与优化
Parasitic Inductance Modeling and Reduction for Wire-Bonded Half-Bridge SiC Multichip Power Modules
| 作者 | Boyi Zhang · Shuo Wang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 寄生电感 SiC多芯片功率模块 键合线 瞬态响应 封装布局 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文建立了包含SiC多芯片功率模块并联电流路径间互感的寄生电感模型。基于该模型，分析了SiC模块的瞬态响应，识别了关键寄生电感，并据此优化了封装布局，有效降低了模块的寄生参数。
English Abstract
This article first developed an inductance model that includes the parasitic mutual inductance between parallel current path segments for SiC multichip power modules. Based on the developed model, the SiC multichip module's transient response was analyzed, important parasitic inductances were identified. The layout was improved based on the transient analysis. The improved package layout can reduc...
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SunView 深度解读
该研究对于提升阳光电源核心产品（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）的功率密度和开关性能至关重要。SiC功率模块的寄生电感直接影响开关损耗、电压过冲及电磁干扰（EMI）。通过优化封装布局，可显著降低SiC器件在高速开关下的电压尖峰，从而提升系统可靠性并减小滤波器体积。建议研发团队在下一代高功率密度SiC模块选型及定制化设计中引入该建模方法，以优化逆变器和PCS的瞬态性能，进一步提升整机效率。