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直流固态功率控制器中SiC MOSFET稳态热阻的在线精确测量
Online Accurate Measurement of Steady-Thermal Resistance of SiC MOSFETs for DC Solid-State Power Controller
| 作者 | Bin Yu · Li Wang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 稳态热阻 结温 导通电阻 (Rdson) 直流固态功率控制器 (dc-SSPC) 在线测量 可靠性 |
语言:
中文摘要
稳态热阻（Rth）是SiC MOSFET的关键特性，常作为失效指标。针对直流固态功率控制器（dc-SSPC）的运行模式，本文提出了一种基于导通电阻（Rdson）的结温测量方法，实现了对SiC MOSFET热阻的在线精确测量，为功率器件的健康状态监测提供了技术支撑。
English Abstract
The steady-state thermal resistance Rth is the key characteristic of SiC MOSFETs, usually used as a failure indicator. Due to the operating mode of SiC MOSFETs in the dc solid-state power controller (dc-SSPC), the junction temperature measurement based on the steady on-state resistance Rdson of SiC MOSFETs is vital to the accurate online measurement of Rth. The accuracy of a digital oscilloscope i...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的功率器件选型与可靠性评估具有重要参考价值。在组串式逆变器和PowerTitan储能系统中，SiC MOSFET已成为提升功率密度和效率的核心器件。通过在线监测热阻，公司可优化iSolarCloud平台的故障预警算法，实现从“事后维护”向“预测性维护”的跨越。建议在研发阶段引入该在线测量技术，以提升高功率密度模块在极端工况下的热设计裕度，并为储能PCS的长寿命设计提供数据支撑。