← 返回
考虑栅漏电容非线性的SiC MOSFET串扰峰值预测算法
A Predictive Algorithm for Crosstalk Peaks of SiC MOSFET by Considering the Nonlinearity of Gate-Drain Capacitance
| 作者 | Hong Li · Yanfeng Jiang · Zhidong Qiu · Yuting Wang · Yuhang Ding |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年3月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 串扰 栅漏电容 非线性 驱动电路 预测算法 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种精确预测SiC MOSFET串扰峰值的算法，该算法首次考虑了栅漏电容（Cgd）的非线性特性。通过对Cgd微分表达式的分析，该方法能更准确地指导SiC MOSFET驱动电路与保护电路的设计，有效提升电力电子系统的可靠性。
English Abstract
A predictive algorithm for accurately determining the crosstalk peaks caused by SiC MOSFETs is proposed in this article, which is very important to better design the drive and protect circuits of SiC MOSFETs. Compared to the conventional algorithm of crosstalk peaks, the nonlinearity of gate-drain capacitance (Cgd) is first considered in the proposed algorithm. In detail, the differential expressi...
S
SunView 深度解读
随着阳光电源在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率，串扰问题成为影响系统可靠性的关键挑战。该算法通过精确建模Cgd非线性，能够优化驱动电路设计，减少误导通风险，从而提升阳光电源核心功率模块的抗干扰能力。建议研发团队将其集成至驱动电路仿真工具中，以缩短高频SiC功率模块的开发周期，并进一步提升产品在极端工况下的运行稳定性。