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基于开通延迟的SiC MOSFET实时结温测量及老化补偿方法
Turn-on Delay Based Real-Time Junction Temperature Measurement for SiC MOSFETs With Aging Compensation
| 作者 | Fei Yang · Shi Pu · Chi Xu · Bilal Akin |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 结温 开通延迟 老化补偿 状态监测 电力电子 可靠性 |
语言:
中文摘要
在线结温监测对电力电子变换器的过温保护与状态监测至关重要。针对SiC MOSFET缺乏现场可靠性数据的问题，本文提出利用开通延迟时间作为温度敏感电参数（TSEP），并引入老化补偿机制，实现高精度的实时结温测量，提升功率器件在复杂工况下的运行可靠性。
English Abstract
Online junction temperature $({{T_j}})$ measurement enables robust power converter operations by providing overtemperature protection and condition monitoring of the power devices. For SiC MOSFETs, the real-time ${T_j}$ information is especially critical as limited field data are available regarding the reliability. In this article, utilizing the turn-on delay time as temperature sensitive electri...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着公司组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向高功率密度、高效率方向演进，SiC器件的应用日益广泛。实时结温监测与老化补偿技术不仅能提升逆变器和PCS在极端环境下的过温保护精度，还能通过状态监测实现预测性维护，降低运维成本。建议研发团队将该算法集成至iSolarCloud平台，通过实时监测器件健康状态，优化系统调度策略，并为下一代高可靠性功率模块的设计提供数据支撑。